[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有层间介质层，在层间介质层中形成有金属电极；在层间介质层上形成包括自下而上层叠的缓冲层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层的硬掩膜叠层结构，覆盖层间介质层和金属电极；分三步实施三次蚀刻，在硬掩膜叠层结构中形成用于填充底部电极材料的通孔。根据本发明，可以有效控制用于填充底部电极材料的通孔的特征尺寸和侧壁轮廓。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有层间介质层，在所述层间介质层中形成有金属电极；在所述层间介质层上形成硬掩膜叠层结构，以覆盖所述层间介质层和所述金属电极，所述硬掩膜叠层结构包括自下而上层叠的缓冲层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；实施第一蚀刻依次蚀刻所述第二硬掩膜层和所述第一硬掩膜层，以在所述硬掩膜叠层结构中形成第一通孔；在所述硬掩膜叠层结构上依次沉积第一侧墙材料层和第二侧墙材料层，以填充所述第一通孔，所述第一侧墙材料层的构成材料为钛和氮化钛的组合；实施第二蚀刻以蚀刻所述第二侧墙材料层，在所述第一通孔的侧壁上形成外侧墙；实施第三蚀刻以蚀刻所述第一侧墙材料层，在所述第一通孔的侧壁上以及底部的中间部分的两侧形成内侧墙；以所述外侧墙和内侧墙为掩膜，实施第四蚀刻以蚀刻露出的所述缓冲层，直至露出所述金属电极，在所述硬掩膜叠层结构中形成用于填充底部电极材料的第二通孔。