[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410031140.5 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104183628A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 杉浦政幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明抑制高频半导体开关的耐压降低。根据一个实施方式，半导体装置设置有栅电极、源极区域以及漏极区域、体接触区域、体偏置控制电极。栅电极由以第1间隔并列配置的多个第1部分、和连接多个第1部分的第2部分构成，隔着栅极绝缘膜地设置。源极区域以及漏极区域设置于多个第1部分之间。相对第2部分在与源极区域以及漏极区域相反的一侧配置体接触区域。体偏置控制电极与第2部分并列，设置于体接触区域上，其与第2部分之间的第2间隔大于第1间隔，与体接触区域连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：栅电极，由以第1间隔并列配置的多个第1部分、和连接所述多个第1部分的第2部分构成，隔着栅极绝缘膜地设置；源极区域以及漏极区域，设置于所述多个第1部分之间；体接触区域，相对所述第2部分配置于与所述源极区域以及漏极区域相反的一侧；以及体偏置控制电极，与所述第2部分并列，且设置于所述体接触区域上，与所述第2部分之间的第2间隔大于所述第1间隔，与所述体接触区域连接。
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