[发明专利]用于存储单元的三维（3‑D）写辅助方案有效
| 申请号： | 201410031943.0 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104658597B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 邱志杰;黄家恩;吴福安;黄毅函;杨荣平 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于存储单元的三维（3‑D）写辅助方案。一种集成电路包括存储单元阵列和写逻辑单元阵列。集成电路还包括写地址解码器，写地址解码器包括多个写输出端。写逻辑单元阵列电连接至多个写输出端。写逻辑单元阵列电连接至存储单元阵列。写逻辑单元阵列被配置为设置存储单元的工作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储 单元 三维 辅助 方案 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：存储单元的阵列；写地址解码器，包括多个写输出端；以及写逻辑单元的阵列，其中：所述写逻辑单元的阵列电连接至所述多个写输出端；所述写逻辑单元的阵列电连接至所述存储单元的阵列；以及所述写逻辑单元的阵列被配置为设置所述存储单元的工作电压。
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