[发明专利]半导体器件设计方法和导电凸块图案增强方法有效
| 申请号： | 201410032860.3 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104657532B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 王姿予;吴伟诚;许国经;侯上勇;郑心圃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了半导体器件设计方法和导电凸块图案增强方法。在一些实施例中，设计半导体器件的方法包括：设计导电凸块图案设计；以及对导电凸块图案设计执行导电凸块图案增强算法以产生增强的导电凸块图案设计。基于增强的导电凸块图案设计来设计布线图案。对布线图案执行设计规则检查（DRC）程序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 设计 方法 导电 图案 增强 | ||
【主权项】：
1.一种设计半导体器件的方法，所述方法包括：设计导电凸块图案设计；对所述导电凸块图案设计执行导电凸块图案增强算法以创建增强的导电凸块图案设计；基于所述增强的导电凸块图案设计来设计布线图案；以及对所述布线图案执行设计规则检查(DRC)程序，其中，所述导电凸块图案增强算法包括：输入所述导电凸块图案设计的多个坐标；计算所述导电凸块图案设计的有效导电凸块图案密度；模拟所述导电凸块图案设计的导电凸块高度；以及识别热点以创建所述导电凸块图案设计的图案增强引导，其中，所述导电凸块图案表示所述半导体器件上需要外部电连接的终端的位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410032860.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
