[发明专利]二极管、ESD保护电路及其制造方法有效
| 申请号： | 201410033871.3 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN103972303B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 高在赫;金汉求;高民昌;金昌洙;全暻基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/40;H01L27/02;H01L21/329;H01L21/28;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 薛义丹;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种二极管、ESD保护电路、制造二极管的方法以及同时制造二极管和PLDMOS晶体管的方法。所述方法如下。在N型外延层的第一上部中形成N型阱区域。在N型外延层的第二上部中形成P型漂移区域。在N型阱区域中形成N型掺杂区域。在P型漂移区域中形成P型掺杂区域。在P型漂移区域中形成隔离结构。隔离结构设置在N型阱区域和P型掺杂区域之间。在N型外延层的一部分上形成第一电极。N型外延层的所述一部分设置在N型阱区域和P型漂移区域之间。第一电极与隔离结构的一部分叠置。形成连接结构以电结合N型掺杂区域和第一电极。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 esd 保护 电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二极管，所述二极管包括：N型阱区域，设置在N型外延层中；P型漂移区域，设置在N型外延层中，其中，P型漂移区域与N型阱区域分隔开；阴极电极，包括第一电极和N型掺杂区域，其中，N型掺杂区域电结合到第一电极，N型阱区域仅包括N型掺杂区域并且不包括P型掺杂区域，第一电极设置在N型外延层上；阳极电极，包括P型掺杂区域，其中，P型掺杂区域设置在P型漂移区域中；以及隔离结构，设置在P型漂移区域中，其中，隔离结构设置在N型阱区域和P型掺杂区域之间，其中，阴极电极的第一电极与隔离结构的一部分叠置，其中，第一电极对应于P型横向扩散金属氧化物半导体晶体管的栅极，其中，二极管的N型阱区域对应于P型横向扩散金属氧化物半导体晶体管的N型阱区域，二极管的P型漂移区域对应于P型横向扩散金属氧化物半导体晶体管的P型漂移区域，二极管的P型掺杂区域对应于P型横向扩散金属氧化物半导体晶体管的漏极区域，二极管的隔离结构对应于P型横向扩散金属氧化物半导体晶体管的隔离结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410033871.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种汽车齿轮压铸模具
- 下一篇：一种U型结晶轮
- 同类专利
- 专利分类
