[发明专利]圆片级封装工艺晶圆减薄结构在审
申请号: | 201410034804.3 | 申请日: | 2014-01-24 |
公开(公告)号: | CN103811536A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 施建根 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/41 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 孟阿妮 |
地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种圆片级封装工艺晶圆减薄结构,包括:晶圆,多个芯片,导电凸点;各所述芯片在所述晶圆一面呈阵列分布;所述导电凸点形成于所述芯片远离所述晶圆的表面;所述晶圆未形成有所述芯片的一面具有周边厚中间薄的环状结构。本发明提供的圆片级封装工艺晶圆减薄结构,实现了同样功能的半导体器件圆片封装的单体芯片厚度越来越薄的目标,并且更重要的是实现了晶圆背部减薄后只有微小翘曲的目标。 | ||
搜索关键词: | 圆片级 封装 工艺 晶圆减薄 结构 | ||
【主权项】:
一种圆片级封装工艺晶圆减薄结构,其特征在于,包括:晶圆,多个芯片,导电凸点;各所述芯片在所述晶圆一面呈阵列分布;所述导电凸点形成于所述芯片远离所述晶圆的表面;所述晶圆未形成有所述芯片的一面具有周边厚中间薄的环状结构。
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