[发明专利]一种N型GaAs基激光二极管的制造方法

摘要

本发明公开了一种N型GaAs基激光二极管的制造方法，其包括形成GaAs衬底以及依次沉积n型包覆层、n型光导层、有源层、p型阻挡层、p型光导层和p型包覆层。其中形成GaAs衬底的方法包括将GaAs晶片放入高温高压装置中，对GaAs晶片加热的同时加压，加热温度为860～890℃，加压压力为5.0～5.5GPa，保持10～15分钟；停止加热加压，使GaAs晶片恢复至常温常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaAs晶片。该方法可以明显的减小激光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高激光二极管的性能和寿命。

主权项

一种N型GaAs基激光二极管的制造方法，包括如下步骤，首先形成GaAs衬底，其次在衬底上依次沉积了n型包覆层、n型光导层、有源层、p型阻挡层、p型光导层和p型包覆层，其特征在于，形成GaAs衬底的方法包括如下步骤：(1)在常温常压下，将GaAs晶片放入高温高压装置中，在高温高压装置中加入传压介质，该传压介质为NaCL和液氮；(2)对GaAs晶片加热的同时加压，加热至温度为860～890℃，加压至压力为5.0～5.5GPa，保持10～15分钟；(3)停止加热，使GaAs晶片冷却至常温；同时缓慢卸压，使GaAs晶片恢复至常压。卸压速度为0.3～0.5GPa/分钟；(4)在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaAs晶片。