[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201410040133.1 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN103915399A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 泽田刚一;田中靖士 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件(1)，包括半导体衬底(5)、层间绝缘膜(10)、多个布线层(12a、12b和12c)、第一硬质膜(20a)和电气焊盘(30)。半导体衬底(5)具有半导体元件(50)。层间绝缘膜(10)布置在半导体衬底(5)上方。多个布线层(12a、12b、12c)布置在层间绝缘膜(10)中。第一硬质膜(20a)布置在层间绝缘膜(10)上方，且第一硬质膜(20a)比层间绝缘膜(10)更坚硬。电气焊盘(30)布置在第一硬质膜(20a)上方，且电气焊盘(30)用于外部连接。电气焊盘(30)包括下层焊盘(30a)、上层焊盘(30b)和第二硬质膜(32)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件(1)，包括：具有半导体元件(50)的半导体衬底(5)；布置在所述半导体衬底(5)上方的层间绝缘膜(10)；布置在所述层间绝缘膜(10)中的多个布线层(12a、12b、12c)；布置在所述层间绝缘膜(10)上方的第一硬质膜(20a)，所述第一硬质膜(20a)比所述层间绝缘膜(10)更坚硬；以及布置在所述第一硬质膜(20a)上方且用于外部连接的电气焊盘(30)，其中所述电气焊盘(30)包括：布置成离所述半导体衬底(5)较近的下层焊盘(30a)；布置成离所述半导体衬底(5)较远的上层焊盘(30b)；以及布置在所述下层焊盘(30a)和所述上层焊盘(30b)之间的第二硬质膜(32)，并且其中所述第二硬质膜(32)具有导电性且比所述下层焊盘(30a)和所述上层焊盘(30b)更坚硬。
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