[发明专利]图像传感器的单元像素有效
申请号: | 201410041492.9 | 申请日: | 2014-01-28 |
公开(公告)号: | CN103972258B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 李浚泽;郑相日;金利泰;梁云弼 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰;李云霞 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种图像传感器的单元像素,所述图像传感器的单元像素包括:光电转换区域、浮置扩散区域和传输栅极。光电转换区域在由半导体基板的隔离区域限定的有源区域中。光电转换区域产生与入射光相对应的电荷。传输栅极将电荷传输到浮置扩散区域,浮置扩散区域位于有源区域中。传输栅极包括相对于基准线划分的第一部分和第二部分,第一部分和第二部分中的至少一个不与隔离区域叠置。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 单元 像素 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器的单元像素,所述单元像素包括:光电转换区域,在由半导体基板的隔离区域限定的有源区域中,光电转换区域被构造成产生与入射光相对应的电荷;浮置扩散区域,在有源区域中;以及传输栅极,被构造成将电荷传输到浮置扩散区域,传输栅极邻近于光电转换区域和浮置扩散区域,传输栅极包括相对于沿从光电转换区域到浮置扩散区域的方向延伸的基准线划分的第一部分和第二部分,其中,第一部分和第二部分中的至少一个不与隔离区域叠置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410041492.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种太阳电池用互连条及其制造方法及太阳电池组件
- 下一篇:烟丝杂物剔除装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的