[发明专利]嵌埋有晶片的封装结构的制法有效
| 申请号： | 201410041750.3 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN104779176B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 张翊峰;符毅民;蔡芳霖;刘正仁;陈宏棋 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种嵌埋有晶片的封装结构的制法，包括准备一其上形成有第一线路层的承载板，该第一线路层具有多个第一电性连接垫及第二电性连接垫；以覆晶方式接置至少一晶片于该第一电性连接垫上；将介电层形成在该承载板上以包覆该晶片及该第一线路层，并令该介电层具有连接该承载板的第一表面与其相对之第二表面；将贯穿该介电层且连接该第二电性连接垫的多个导电通孔形成；将电性连接该导电通孔的第二线路层形成在该介电层的第二表面上；以及移除该承载板。本发明能提高晶片的电性连接或信赖性测试的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌埋有 晶片 封装 结构 制法 | ||
【主权项】：
一种嵌埋有晶片的封装结构的制法，包括：准备一其上形成有第一线路层的承载板，该第一线路层具有多个第一电性连接垫及第二电性连接垫；以覆晶方式接置至少一晶片于该第一电性连接垫上；在该承载板上形成包覆该晶片及该第一线路层的介电层，令该介电层具有连接该承载板的第一表面与其相对的第二表面；形成多个贯穿该介电层且连接该第二电性连接垫的导电通孔；在该介电层的第二表面上形成电性连接该导电通孔的第二线路层；在该介电层的第二表面上形成第一绝缘保护层，以覆盖该第二线路层，其中，该第二线路层具有多个第三电性连接垫，且该第一绝缘保护层具有多个第一绝缘保护层开孔以对应露出各该第三电性连接垫；以及移除该承载板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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