[发明专利]集成电路、半导体器件和制造半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201410043900.4 申请日: 2014-01-30
公开(公告)号: CN103972234B 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: A.迈泽尔;S.蒂勒;M.聪德尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L21/77
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 马丽娜,徐红燕
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种包括半导体器件的集成电路具有功率部件和传感器部件,所述功率部件包括在单元阵列中的多个沟槽,该多个沟槽在第一方向上延伸,所述传感器部件被集成到功率部件的单元阵列中并且包括传感器单元,传感器单元具有小于功率部件的单元阵列的面积的面积。集成电路进一步包括在传感器部件和功率部件之间设置的隔离沟槽,绝缘材料被设置在隔离沟槽中。隔离沟槽在与第一方向不同的第二方向上延伸。
搜索关键词: 集成电路 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
一种包含半导体器件的集成电路,包括:功率部件,其包括在单元阵列中的多个沟槽,所述多个沟槽在第一方向上延伸;传感器部件,其被集成到功率部件的单元阵列中并且包括传感器单元,所述传感器单元具有小于功率部件的单元阵列的面积的面积;和在与第一方向不同的第二方向上延伸的隔离沟槽,绝缘材料被设置在所述隔离沟槽中,在传感器部件和功率部件之间沿着第一方向设置所述隔离沟槽。
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