[发明专利]片剂杂质和抗张强度的高通量近红外灵敏快速无损分析

摘要

本发明涉及一种片剂杂质和抗张强度的高通量近红外灵敏快速无损分析方法，属于药物制剂分析领域。包括下述步骤制备或收集片剂样品；用傅里叶变换近红外光谱仪采集已知片剂样品的近红外漫反射光谱(NIR‑DRS)；用高效液相色谱法(HPLC)测定片剂杂质含量的参考值；用游标卡尺和片剂硬度测试仪测定并计算抗张强度的参考值；对光谱进行预处理；选择最优建模波数范围并剔除奇异值；分别建立基于NIR‑DRS的杂质和抗张强度校正模型并对模型性能进行评价；采集未知片剂样品NIR‑DRS；对未知片剂样品NIR‑DRS进行与已知样品NIR‑DRS相同的预处理；用所建模型预测未知片剂样品的杂质含量和抗张强度。本方法灵敏度高，无需样品预处理，分析快速无损，结果准确。

主权项

还原型谷胱甘肽片中杂质氧化型谷胱甘肽和抗张强度的近红外快速无损分析方法，其特征在于采用以下步骤：(1)制备或收集片剂样品；应用傅里叶变换近红外光谱仪的药片漫透射采样附件采集片剂样品正反两面的近红外漫反射光谱即NIR‑DRS；采集参数为扫描次数64，分辨率8cm‑1，扫描范围10000～4000cm‑1；(2)用高效液相色谱法即HPLC测定片剂样品中杂质氧化型谷胱甘肽的含量参考值；对原始NIR‑DRS进行均值中心化预处理；选择最优建模波数范围8633.39～4133.15cm‑1，剔除奇异值；选择最佳主因子数12建立基于片剂校正样品NIR‑DRS的杂质含量偏最小二乘回归校正模型，采用片剂预测样品进行验证，并采用校正集均方根误差即RMSEC、交叉验证均方根误差即RMSECV、预测集均方根误差即RMSEP、校正集相关系数即Rc及预测集相关系数即Rp对模型性能进行评价；(3)用游标卡尺和片剂硬度测试仪测定并计算片剂样品抗张强度的参考值；对原始NIR‑DRS进行7点3次Savitzky‑Golay平滑、均值中心化和定标预处理；选择最优建模波数范围8974.47～4039.12cm‑1，剔除奇异值；选择最佳主因子数9建立基于片剂校正样品NIR‑DRS的抗张强度偏最小二乘回归校正模型，采用片剂预测样品进行验证，并采用RMSEC、RMSECV、RMSEP、Rc及Rp对模型性能进行评价；(4)采集未知样品的NIR‑DRS；对未知样品的NIR‑DRS进行相应的预处理；应用所建模型预测未知样品的杂质含量和抗张强度。