[发明专利]功率晶体管装置和用于制造功率晶体管装置的方法有效
| 申请号： | 201410045302.0 | 申请日： | 2014-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103972193B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | R·奥特雷姆巴;J·赫格劳尔;J·施雷德尔;X·施勒格尔;K·希斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;H01L21/58;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,张臻贤 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 各种实施例提供一种功率晶体管装置。功率晶体管装置可以包括载体；第一功率晶体管，具有控制电极和第一功率电极和第二功率电极；以及第二功率晶体管，具有控制电极和第一功率电极和第二功率电极。第一功率晶体管和第二功率晶体管可以彼此紧邻地布置在载体上，使得第一功率晶体管的控制电极和第二功率晶体管的控制电极面向载体。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率晶体管装置，包括：载体；第一功率晶体管，具有控制电极和第一功率电极和第二功率电极；第二功率晶体管，具有控制电极和第一功率电极和第二功率电极；其中所述第一功率晶体管的所述第一功率电极和所述第二功率晶体管的所述第一功率电极背对所述载体，并且利用布置在所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管上面的导电耦合结构彼此电耦合，其中所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管彼此紧邻地布置在所述载体上，使得所述第一功率晶体管的所述控制电极和所述第二功率晶体管的所述控制电极面向所述载体。
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