[发明专利]一种新型结构的遂穿场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201410045496.4 | 申请日： | 2014-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN103779418A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 赵静;杨喜超;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种新型结构的遂穿场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，可增大遂穿面积并提高遂穿几率，从而提高晶体管的导通电流，获得陡峭的亚阈值斜率；该遂穿场效应晶体管包括分别位于有源区两侧的源极和漏极、栅介质层以及位于所述栅介质层背离所述源极一侧的栅极，还包括设置在所述栅介质层和所述源极之间并与所述栅介质层和所述源极均接触的遂穿区；所述源极至少包括呈“L”形垂直连接的第一区域和第二区域；所述遂穿区至少与所述第一区域和所述第二区域接触；所述栅介质层至少与所述遂穿区接触；用于晶体管的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 结构 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型结构的遂穿场效应晶体管，包括分别位于有源区两侧的源极和漏极、栅介质层以及位于所述栅介质层背离所述源极一侧的栅极，还包括设置在所述栅介质层和所述源极之间且与所述栅介质层和所述源极均接触的遂穿区；其特征在于，所述源极至少包括呈“L”形垂直连接的第一区域和第二区域；所述遂穿区至少与所述第一区域和所述第二区域接触；所述栅介质层至少与所述遂穿区接触。
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