[发明专利]一种基于MOS管的集成电路开关结构及方法在审
| 申请号： | 201410046899.0 | 申请日： | 2014-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN103795388A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 高丰城;王德彬 | 申请（专利权）人： | 上海三一重机有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 朱俊跃 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于MOS管的集成电路开关结构及方法，属于电路控制领域，包括供电电源1、场效应管2、外部控制信号发生器3、内部信号发生器4和后续电路5。供电电源1、场效应管2、后续电路5依次相连。外部控制信号发生器3和内部信号发生器4分别与场效应管2相连。场效应管2根据外部控制信号发生器3和内部控制信号发生器4发出的控制信号实现供电电源1与后续电路5的通断。本发明的技术方案通过采用MOS管作为集成电路控制的开关，有效降低了控制信号故障对集成电路产生的影响，并有效降低了电磁干扰，实现可控延时断电，并不存在触点氧化和定期维护问题，更好的实现了电路保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mos 集成电路 开关 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种基于MOS管的集成电路开关结构，用于集成电路供电的开关控制，其特征在于，包括供电电源（1）、场效应管（2）、外部控制信号发生器（3）、内部控制信号发生器（4）和后续电路（5），所述供电电源（1）与所述场效应管（2）相连，所述场效应管（2）与所述后续电路（5）相连，所述外部控制信号发生器（3）和内部控制信号发生器（4）分别与所述场效应管（2）相连，所述场效应管（2）控制所述供电电源（1）与所述后续电路（5）之间的通断，所述外部控制信号发生器（3）通过发出外部控制信号控制所述场效应管（2）的通断，所述内部控制信号发生器（4）通过发出内部信号控制所述场效应管（2）的通断。
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