[发明专利]非易失性存储装置及使用其的半导体系统和计算机设备有效
| 申请号： | 201410049848.3 | 申请日： | 2014-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN104425017B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 申旻澈;愼允宰 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 俞波;周晓雨<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种非易失性存储装置，包括具有多个子阵列的存储器单元阵列。多个模数转换器（ADC）被配置为感测从所述多个子阵列的存储器单元输出的感测电压，路径选择单元被配置为在第一操作模式下以一对一的对应方式将所述多个子阵列与所述多个ADC电耦接，以及在第二操作模式下将所述多个ADC与电源电压的端子电耦接。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 使用 半导体 系统 计算机 设备 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储装置，包括：/n存储器单元阵列，包括多个子阵列；/n多个模数转换器，被配置为感测从所述多个子阵列的存储器单元输出的感测电压；以及/n路径选择单元，被配置为在第一操作模式下以一对一的对应方式将所述多个子阵列与所述多个模数转换器电耦接，以及在第二操作模式下将所述多个模数转换器与电源电压的端子电耦接，/n其中，当所述多个模数转换器与所述电源电压的端子电耦接时，所述多个模数转换器监测所述电源电压的噪声。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410049848.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
