[发明专利]电子束检测优化方法有效
| 申请号： | 201410050111.3 | 申请日： | 2014-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN104851817B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 骆统;杨令武;杨大弘;陈光钊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子束检测优化方法，该电子束检测优化方法是先取得一芯片中的多个初始检测区域，每个所述初始检测区域的中心为一缺陷点；然后，重新产生互不重叠的多个重设检测区域，其中每个所述重设检测区域是被一视场(FOV)所涵盖的范围，且所述范围内具有至少一个所述缺陷点；之后，将重设检测区域的中心转换成检测中心点，并对所述检测中心点进行电子束检测。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 检测 优化 方法 | ||
【主权项】：
一种电子束检测优化方法，包括：取得一芯片中的多个初始检测区域，每个所述初始检测区域的中心为一缺陷点；重新产生互不重叠的多个重设检测区域，其中每个所述重设检测区域是被一视场(FOV)所涵盖的范围，且所述范围内具有至少一个所述缺陷点；将所述重设检测区域的中心转换成多个检测中心点；以及对所述检测中心点进行电子束检测；其中，所述重新产生互不重叠的多个重设检测区域，是以视场(FOV)的范围为单位，将多个初始检测区域中的所有缺陷点重新分配至多个检测区域内，形成多个不重叠的重设检测区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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