[发明专利]一种修复位于有源区衬底上损伤的方法在审
| 申请号： | 201410050502.5 | 申请日： | 2014-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN104851775A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种修复位于有源区衬底上损伤的方法，通过在对有源区衬底造成损伤的工艺后，对位于该有源区的衬底进行一次或多次的选择性外延生长工艺，以在受到损伤的衬底表面生长一材质及其物理化学等性质完全与该衬底相同的修复薄膜，进而完成对上述损伤如材料结构损失的补偿及降低衬底表面的粗糙度等，以进一步的提高最终制备的CMOS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 修复 位于 有源 衬底 损伤 方法 | ||
【主权项】：
一种修复位于有源区衬底上损伤的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一设置有有源区的半导体衬底；于该半导体衬底上进行CMOS器件制备工艺时，在位于有源区的半导体衬底上形成损伤后，采用选择性外延生长工艺对所述损伤进行修复。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
