[发明专利]使用测试组件的测试方法有效
申请号: | 201410050599.X | 申请日: | 2014-02-13 |
公开(公告)号: | CN104849525B | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 董杭;左文霞;王俊闵;高志豪 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司11438 | 代理人: | 姜怡,阚梓瑄 |
地址: | 201500 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 提供一种测试组件,其特征在于,包括上层芯片、中间层芯片、下层芯片;接触孔,设置在所述中间层芯片上并且贯穿所述中间层芯片,用于连接所述上层芯片和所述中间层芯片;第一标尺,与所述上层芯片和所述下层芯片中的任意一层芯片的中心对准;第二标尺,与所述接触孔的中心对准;所述第一标尺和所述第二标尺设有能够通过OVL读取的直线标记。 | ||
搜索关键词: | 测试 组件 使用 方法 | ||
【主权项】:
一种使用测试组件测试OVL偏差的极限位置的测试方法,所述测试组件包括:上层芯片、中间层芯片、下层芯片,接触孔,设置在所述中间层芯片上并且贯穿所述中间层芯片,用于连接所述上层芯片和所述中间层芯片,第一标尺,与所述上层芯片和所述下层芯片中的任意一层芯片的中心对准,第二标尺,与所述接触孔的中心对准;所述第一标尺和所述第二标尺设有能够通过OVL读取的直线标记;所述测试方法的特征在于,针对每个测试组件,利用所述第一标尺和所述第二标尺分别测量所述任意一层芯片的中心与所述接触孔的中心之间的偏差,并且利用IR量测机台来测量所述任意一层芯片和另一芯片间的接触电阻,所述另一芯片是指所述上层芯片和所述下层芯片中的所述任意一层芯片之外的芯片,在多个所述测试组件中,设定各自的所述偏差的量逐级增加,根据测量出的各个所述测试组件的所述偏差和与所述偏差对应的所述接触电阻,来确认所述接触电阻最大时的所述偏差,将所述接触电阻最大时的所述偏差,作为OVL偏差的极限位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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