[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置有效
申请号: | 201410051832.6 | 申请日: | 2014-02-14 |
公开(公告)号: | CN103824865B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 刘冬妮;吕敬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制备方法和包括该阵列基板的显示装置。该阵列基板,包括第一电极和绝缘层,所述绝缘层的图形与所述第一电极的图形互补。本发明的阵列基板,绝缘层能有效降低数据线和栅线与公共电极之间的寄生电容;同时,该阵列基板可以采用同一掩模板来形成绝缘层和第一电极,成本更低。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,所述阵列基板划分为显示区和非显示区,所述非显示区环绕在所述显示区之外;所述阵列基板包括第一电极、第二电极和绝缘层,其特征在于,所述第一电极与所述第二电极在正投影方向上至少部分重叠;其中,所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层,所述显示区划分为多个子像素区域,所述子像素区域内设置有薄膜晶体管,所述第一绝缘层设置于所述薄膜晶体管的上方,所述第一电极和所述第二绝缘层设置于所述第一绝缘层的上方,所述第二绝缘层图形与所述第一电极的图形互补,所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极,所述第一绝缘层在对应着所述漏极的区域设置有过孔,所述第一电极通过所述过孔与所述漏极电连接,所述阵列基板还包括数据线和栅线,所述数据线和所述栅线交叉设置于相邻所述子像素区的交界处;所述数据线与所述薄膜晶体管的源极电连接,所述栅线与所述薄膜晶体管的栅极电连接,所述第二绝缘层还覆盖着所述数据线和所述栅线对应着的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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