[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410052440.1 | 申请日： | 2014-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN104465740A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 大野哲也;齐藤泰伸;藤本英俊;吉冈启;内原士;仲敏行;安本恭章;梁濑直子;增子真吾;小野祐 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨谦;胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种对由反转层、积累层、转移等引起的泄漏电流的流动进行抑制而能够实现耐压的提高的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备半导体基板和在上述半导体基板上形成的第一膜。进而上述装置具备在上述第一膜上形成的第一导电型或本征型的第一半导体层、在上述第一半导体层上形成的上述第一导电型或本征型的第二半导体层。进而上述装置具备具有与上述第一半导体层相接的第一上部、与上述第一膜相接的第二上部、位于上述第一上部与上述第二上部之间的第一侧部、以及位于上述第二上部与上述半导体基板的下部之间的第二侧部的第二导电型在内的第三半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：半导体基板；第一膜，形成在上述半导体基板上；第一导电型或本征型的第一半导体层，形成在上述第一膜上；上述第一导电型或本征型的第二半导体层，形成在上述第一半导体层上；以及第二导电型的第三半导体层，具有与上述第一半导体层相接的第一上部、与上述第一膜相接的第二上部、位于上述第一上部与上述第二上部之间的第一侧部、以及位于上述第二上部与上述半导体基板的下部之间的第二侧部。
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