[发明专利]一种基于分块DRAM的低功耗刷新方法有效
| 申请号： | 201410053690.7 | 申请日： | 2014-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN103811047B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 景蔚亮;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201500 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于分块DRAM的低功耗刷新方法，包括当所述DRAM处于繁忙状态时，所述DRAM的刷新周期为T_refresh0；当所述DRAM处于非繁忙状态时，选取所述DRAM芯片中N个块的某一保持时间T_refresh1，所述T_refresh1大于T_refresh0，在保持时间T_refresh1下，存在最差存储单元的L个块分别记作块L_0，块L_1，……，块L_L‑1（0<L≤N）。关闭所述DRAM芯片中的L个块，将剩余N‑L个块的刷新周期时间可以提升至T_refresh1。本发明的技术方案能够有效提高所述分块DRAM的刷新周期，大大降低了刷新功耗，并且基本不影响DRAM的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 分块 dram 功耗 刷新 方法 | ||
【主权项】：
一种基于分块DRAM的低功耗刷新方法，所述DRAM芯片包括N个可以独立进行周期刷新操作的块，所述N≥1，所述N个块均具有相对应的最差存储单元和保持时间，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，当所述DRAM处于繁忙状态时，所述DRAM的刷新周期为T_refresh0；步骤2，当所述DRAM处于非繁忙状态时，选取所述DRAM芯片中N个块的某一保持时间T_refresh1，所述T_refresh1大于T_refresh0，在保持时间T_refresh1下，存在最差存储单元的L个块分别记作块L_0，块L_1，……，块L_L‑1(0<L≤N)；步骤3，关闭所述DRAM芯片中的L个块。
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