[发明专利]去除铝残余缺陷的方法有效
| 申请号： | 201410053960.4 | 申请日： | 2014-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN104851811B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 傅俊;王智东;王开立;戴海燕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 牛峥,王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除铝残余缺陷的方法，以去除制造铝垫过程中所产生的铝残余缺陷。本发明的方法在已制成的铝垫侧壁形成钛和氮化钛的保护层，在已制成的铝垫表面形成光刻胶层，进而在所述保护层和光刻胶层的保护下，通过四甲基氢氧化铵碱性溶液的湿法刻蚀，以去除残留于基底表面的铝残余缺陷。本发明的方法，可有效地去除铝残余缺陷，同时保护已制成铝垫的完好，符合OQA标准。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 残余 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种去除铝残余缺陷的方法，包括：提供铝垫制备完成后出现铝残余缺陷的基片，所述基片包括含有半导体芯片的基底、沉积于所述基底上的铝垫以及残留于所述基底表面的铝残余缺陷；在所述铝垫的侧壁形成一保护层；在所述铝垫表面形成一光刻胶层；以所述保护层和所述光刻胶层为掩膜，去除所述铝残余缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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