[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、TFT阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201410054172.7 | 申请日： | 2014-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN103824779A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王守坤;郭会斌;刘晓伟;冯玉春;郭总杰 | 申请（专利权）人： | 北京京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/786;H01L29/10;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管制作方法，包括：形成半导体有源层和掺杂半导体有源层的步骤；形成源漏金属层的步骤；形成沟道区域的步骤；在形成沟道区域的步骤之后，通过离子注入的方式，在所述沟道区域内的半导体有源层表面注入用于降低TFT漏电流的离子的步骤。本发明还涉及一种薄膜晶体管、TFT阵列基板、显示装置。本发明的有益效果是：通过在沟道区域内注入用于降低TFT漏电流的离子，提升TFT电学性能，并且可控的改变沟道区域半导体有源层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 tft 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：形成半导体有源层和掺杂半导体有源层的步骤；形成源漏金属层的步骤；形成沟道区域的步骤；在形成沟道区域的步骤之后，通过离子注入的方式，在所述沟道区域内的半导体有源层表面注入用于降低TFT漏电流的离子的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
