[发明专利]绝缘栅型场效应晶体管及该晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 201410055773.X | 申请日： | 2014-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN104009011A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 丹野聪;胁田恭之 | 申请（专利权）人： | 株式会社捷太格特 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;苏琳琳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种绝缘栅型场效应晶体管以及该晶体管的制造方法，其能够抑制短路故障的产生。FET（1）具有半导体衬底（10）、栅极绝缘膜（20）、栅极电极（30）和导电部件（60）。半导体衬底（10）具有将沟道区域（14）分割成漏极区域（12）侧的第1沟道区域（14A）和源极区域（13）侧的第2沟道区域（14B）的绝缘槽（11）。导电部件（60）被绝缘槽（11）的漏极侧端面（11A）和源极侧端面（11B）支承。当规定温度以上时导电部件（60）被切断。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅型场效应晶体管，其特征在于，具有：半导体衬底，其具有漏极区域、源极区域、沟道区域以及将所述沟道区域分割成所述漏极区域侧的第1沟道区域及所述源极区域侧的第2沟道区域的绝缘槽；栅极电极，其具有在所述半导体衬底形成所述第1沟道区域的第1栅极电极部、及在所述半导体衬底形成所述第2沟道区域的第2栅极电极部；栅极绝缘膜，其位于所述半导体衬底和所述栅极电极之间，将所述漏极区域及所述源极区域与所述栅极电极绝缘；以及导电部件，其由作为所述绝缘槽的所述漏极区域侧的端面的漏极侧端面和作为所述绝缘槽的所述源极区域侧的端面的源极侧端面支承，且当达到规定温度以上时被切断。
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