[发明专利]研磨衬底的方法和使用该方法制造半导体发光器件的方法有效
申请号: | 201410058164.X | 申请日: | 2014-02-20 |
公开(公告)号: | CN104008964B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 金载润;李承宰;孙夏英;洪镇基;黄圣德 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L33/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 陈源,张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了研磨衬底的方法和用该研磨衬底的方法制造半导体发光器件的方法。制备包括第一主表面和第二主表面的衬底,其中所述第一主表面上形成有半导体层,所述第二主表面与所述第一主表面彼此相对。使用胶合物将支撑膜贴合至所述第一主表面。所述衬底的第二主表面被研磨,使得所述衬底的厚度减少。通过在非横向方向上将力施加至所述支撑膜来从所述第一主表面去除所述支撑膜。 | ||
搜索关键词: | 研磨 衬底 方法 使用 制造 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】:
一种研磨衬底的方法,所述方法包括步骤:制备包括第一主表面和第二主表面的衬底,其中所述第一主表面上具有半导体层,所述第二主表面与所述第一主表面彼此相对;使用胶合物将支撑膜贴合至所述第一主表面;通过将能量施加至所述胶合物来固化所述胶合物;研磨所述衬底的第二主表面,以减小所述衬底的厚度;以及通过在非横向方向上将力施加至所述支撑膜来从所述第一主表面去除所述支撑膜,其中固化后的胶合物和所述半导体层之间的纵向模式结合强度低于所述支撑膜和固化后的胶合物之间的纵向模式结合强度。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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