[发明专利]一种强光LED光源模块及其生产工艺有效
申请号: | 201410059021.0 | 申请日: | 2014-02-21 |
公开(公告)号: | CN103872207A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 郑香奕 | 申请(专利权)人: | 东莞美盛电器制品有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/48;H01L33/54;H01L33/56 |
代理公司: | 东莞市中正知识产权事务所 44231 | 代理人: | 刘林 |
地址: | 523000*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及LED技术领域,特指一种强光LED光源模块的生产工艺,其包括以下步骤:a.制备整体LED晶片,在LED晶片中的一个大尺寸非电极所在表面镀上一层高折射率薄膜;b.将镀好高折射率薄膜的LED晶片按需分割呈LED晶片单体;c.将LED晶片单体固晶于基片表面,已镀高折射率薄膜的一面与基片接触,并焊线连接LED晶片单体;d.在LED晶片单体的剩余五个表面也镀上一层高折射率薄膜;e.按需组装或封装成完整的LED光源模块。本发明的有益效果主要体现在:其一,LED晶片单体发光进入封装材料前,由于LED晶片单体周边均镀有高折射率薄膜,各面之间呈90°,起到倍增出光面的效果,而且大大降低了全反射率,增大出光效率、增强光线强度的效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 强光 led 光源 模块 及其 生产工艺 | ||
【主权项】:
一种强光LED光源模块的生产工艺,其特征在于:其包括以下步骤:a.制备整体LED晶片,在LED晶片中的一个大尺寸非电极所在表面镀上一层高折射率薄膜;b.将镀好高折射率薄膜的LED晶片按需分割呈LED晶片单体;c.将LED晶片单体固晶于基片表面,已镀高折射率薄膜的一面与基片接触,并焊线连接LED晶片单体;d.在LED晶片单体的剩余五个表面也镀上一层高折射率薄膜;e.按需组装或封装成完整的LED光源模块。
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