[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410061644.1 | 申请日： | 2014-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN104425582B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 三须伸一郎;中村和敏 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，具备第1导电型的第1基底层。第2导电型的第2基底层设在第1基底层上。第1导电型的第1半导体层设在第2基底层的与上述第1基底层相反的一侧。第2导电型的第2半导体层设在第1基底层的与第2基底层相反的一侧。多个第1电极隔着第1绝缘膜设在第1半导体层及第2基底层中。第2电极在相邻的第1电极之间、隔着第2绝缘膜设在第1半导体层及第2半导体层中。第2电极侧的第1基底层的电阻比栅极电极侧的第1基底层的电阻低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的第1基底层；第2导电型的第2基底层，设在上述第1基底层上；第1导电型的第1半导体层，设在上述第2基底层的与上述第1基底层相反的一侧；第2导电型的第2半导体层，设在上述第1基底层的与上述第2基底层相反的一侧；多个第1电极，隔着第1绝缘膜设在上述第1半导体层及上述第2基底层中；第2电极，在相邻的上述第1电极之间，隔着第2绝缘膜设在上述第1半导体层及上述第2基底层中；集电极电极，与上述第2半导体层电连接；以及发射极电极，与上述第1半导体层以及上述第2电极电连接，上述第2电极是与上述第1半导体层大致相等的电压，上述第2绝缘膜的膜厚比上述第1绝缘膜的膜厚薄。
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