[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201410063283.4 | 申请日: | 2014-02-24 |
公开(公告)号: | CN103824810B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 苏长义;郑扬霖 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G03F7/42;G02F1/1339 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司44217 | 代理人: | 蔡晓红 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管液晶显示面板及其制造方法。本发明的技术方案是在薄膜晶体管液晶显示面板的平坦化层中划分出移除区,将该移除区内的所有有机光阻材料完全去除,把框胶直接涂布在更易粘牢的保护层上,从而获得更好的框胶粘合效果。这样,本发明提供的薄膜晶体管液晶显示面板的整体结构粘合得更加牢固,相对于现有技术可以有效地提高产品良率,且其制造方法简单易行。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:S1,在基板主体(210)上形成薄膜晶体管,使用绝缘材料形成覆盖所述基板主体(210)与所述薄膜晶体管的保护层(220),使用有机光阻材料在所述保护层(220)表面形成平坦化层(230);S2,将所述平坦化层(230)划分为显示区(231)与移除区(232),对所述显示区(231)的选定区域进行完全曝光,对整个所述移除区(232)进行不完全曝光;S3,进行光阻显影,在所述显示区(231)的所述选定区域形成连通孔(250),同时使所述移除区(232)被部分地移除而在所述保护层(220)上形成厚度比所述平坦化层(230)薄的遮蔽层(232a);S4,在所述保护层(220)上形成和所述连通孔(250)相通,用于引出所述薄膜晶体管的配线的引线孔(260);S5,形成所述引线孔(260)后,将所述遮蔽层(232a)移除,使所述保护层(220)部分地暴露出来形成粘合区(220a),然后在所述粘合区(220a)上涂上框胶;其中,所述步骤S1中,在所述基板主体(210)上形成薄膜晶体管的操作包括以下子步骤:S11,在所述基板主体(210)的表面上形成薄膜晶体管的栅极(211);S12,形成将所述基板主体(210)与所述栅极(211)一同覆盖的绝缘层(212);S13,采用半导体材料在所述绝缘层(212)的表面上形成用作所述薄膜晶体管的通道区的半导体层(213);S14,在所述半导体层(213)上形成所述薄膜晶体管的漏极(214)和源极(215)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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