[发明专利]具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201410063293.8 | 申请日： | 2014-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103840005A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王敬;肖磊;赵梅;梁仁荣;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/43;H01L29/417;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法。其中该方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成SiGe鳍形结构；在SiGe鳍形结构之上形成栅堆叠或假栅；在栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在开口位置露出SiGe鳍形结构；向SiGe鳍形结构注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，在开口位置形成SiGeSn层。本发明的鳍式场效应晶体管形成方法能够形成具有SiGeSn源漏的FinFET，其SiGeSn源漏的厚度较薄、晶体质量较好，因此晶体管具有良好的电学性能，且本方法具有简单易行、成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 sigesn 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底之上形成SiGe鳍形结构；在所述SiGe鳍形结构之上形成栅堆叠或假栅；在所述栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在所述开口位置露出所述SiGe鳍形结构；向所述SiGe鳍形结构注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以在所述开口位置形成SiGeSn层。
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