[发明专利]一种提升频率特性的赝配高电子迁移率晶体管的制作方法

摘要

本发明是一种赝配高电子迁移率晶体管的制作方法，本发明是在普通的双凹槽工艺的基础上进行的，利用介质层(11)将空洞层(15)隔成两个区域，再利用介质层(14)将被隔成的两个空洞区域都封闭，最后利用干法的各向异性刻蚀将介质层(14)刻蚀，但仍然剩余部分的介质层(14)将空洞区域封闭。制作方法，利用MBE的方法形成InGaAs/AlGaAs/GaAs异质结材料，利用干法及湿法形成凹槽，利用等离子体增强化学汽相、蒸发方法形成介质层，制成双凹槽砷化镓赝配高电子迁移率晶体管。优点减小栅寄生电容，提高器件的频率特性。

主权项

一种提升频率特性的赝配高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征是该方法包括以下工艺步骤：1）在衬底（1）上采用MBE和/或者任何其他合适的方法依次形成缓冲层（2）及势垒层（3）、低掺杂砷化镓层（4）、高掺杂砷化镓层（5）；2）在高掺杂砷化镓层（5）上形成第一欧姆接触区作为源电极（6）；3）在高掺杂砷化镓层（5）上形成第二欧姆接触区作为漏电极（7）；4）在源电极（6）和漏电极（7）之间利用干法或者湿法刻蚀的方法去除高掺杂砷化镓层（5）形成一A凹槽（8）；5）A介质层（9）、B介质层（10）、C介质层（11）、D介质层（12）和E介质层（13）是依次层叠淀积形成在源电极（6）与漏电极（7）之间的表面，A介质层（9）、B介质层（10）、D介质层（12）、E介质层（13）的淀积方法包括等离子体增强化学汽相淀积PECVD、电子束蒸发；6）通过生长多层介质层，在干法刻蚀栅脚介质工艺时中间的疏松介质层自动形成合适的侧蚀量；疏松介质层分两层生长，与单层疏松介质层比较，在同样的空洞大小尺寸下，两层疏松介质能通过生长介质层将空洞封闭，防止栅制作工艺的不稳定，利用干法刻蚀形成介质窗口及空洞（15），空洞（15）形成在疏松B介质层（10）和疏松D介质层（12）上，致密C介质层（11）起到了隔离板的作用,为了将空洞（15）的尺寸扩大，利用湿法刻蚀B介质层（10）、D介质层（12）；7）淀积F介质层（14），F介质层（14）缩小介质窗口的尺寸、F介质层（14）封闭空洞（15）的外边缘，F介质层（14）的淀积方法为离子体增强化学汽相淀积PECVD；8）利用干法刻蚀F介质层（14），介质窗口位置的F介质层（14）刻蚀至A凹槽（8）表面，刻蚀F介质层（14）后，空洞(15)仍然被封闭；9）湿法刻蚀介质窗口处的低掺杂砷化镓层（4），形成B凹槽（16）；10）选择电子束蒸发T型栅电极金属（17）, T型栅电极金属（17）的栅帽下端形成真空空洞。