[发明专利]一种晶圆级封装方法及封装结构有效
| 申请号： | 201410064021.X | 申请日： | 2014-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN104425397B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 廖宗仁 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所11313 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆级封装方法及封装结构，其包含下列步骤例如，形成一贯穿孔于一中介层，其中该中介层的厚度不大于第一导电柱的长度；设置该第一导电柱于该贯穿孔；沉积一线路重布层，其电性连接该第一导电柱；设置一锡球于该线路重布层上，以形成一晶圆级封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种晶圆级封装方法，包含：提供一第一晶圆，其包含一表面，其中一介电层及一第一导电柱于该表面上，且该第一导电柱穿透该介电层；切割该第一晶圆而形成一第一晶片；形成一贯穿孔于一中介层，其中该中介层包含一第一表面及一相对于该第一表面的第二表面，该中介层的厚度不大于该第一导电柱的长度；设置该第一晶片于该中介层的该第一表面且设置该第一导电柱于该贯穿孔；覆盖一封装层于该第一晶片及部份的中介层上；涂布一第一电绝缘层于该中介层的该第二表面上；形成一线路重布层于该第一电绝缘层上，其中该线路重布层电性连接该第一导电柱；以及设置一锡球于该线路重布层上。
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