[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 201410064813.7 | 申请日： | 2014-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN104022202B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 松村拓明 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制光的取出效率的降低并抑制电阻的上升的半导体发光元件。该半导体发光元件具备半导体层叠体，其从上表面侧朝向下表面侧依次层叠第一半导体层、活性层及第二半导体层而成；第一电极，其具有将第二半导体层及活性层贯通的多个突出部，并经由突出部而与第一半导体层连接；第二电极，其在第二半导体层的下表面处与第二半导体层连接；绝缘膜，其设置在突出部与半导体层叠体之间，突出部具有由绝缘膜覆盖的突出主体部及上表面和侧面在突出主体部上从绝缘膜露出的突出前端部，第一半导体层在第一半导体层的上表面具有隔着位于突出部之上的第一区域而设置的凹部，凹部之间的距离大于突出前端部的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，其具备：半导体层叠体，其从上表面侧朝向下表面侧依次层叠第一半导体层、活性层及第二半导体层而成；第一电极，其具有将所述第二半导体层及所述活性层贯通的多个突出部，并经由所述突出部而与所述第一半导体层连接；第二电极，其在所述第二半导体层的下表面处与所述第二半导体层连接；绝缘膜，其设置在所述突出部与所述半导体层叠体之间，所述半导体发光元件的特征在于，所述突出部具有：由所述绝缘膜覆盖的突出主体部；上表面和侧面在所述突出主体部上从所述绝缘膜露出的突出前端部，所述第一半导体层在所述第一半导体层的上表面具有隔着位于所述突出部之上的第一区域而设置的凹部，所述凹部之间的距离大于所述突出前端部的宽度。
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