[发明专利]半导体器件及其制造方法、显示单元及电子设备制造方法有效
| 申请号： | 201410065640.0 | 申请日： | 2014-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN104037232A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 甘利浩一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法、显示单元及电子设备制造方法。一种半导体器件，包括：栅电极和布线；覆盖栅电极和布线的第一绝缘膜；与栅电极相对的半导体膜，第一绝缘膜在栅电极和半导体膜之间；位于与半导体膜相邻的位置的第一凹部；连接孔，连接孔设置在第一绝缘膜中，并且连接孔到达布线；以及第一导电膜，第一导电膜通过连接孔电连接至布线，并且第一导电膜埋入第一凹部中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 显示 单元 电子设备 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：形成栅电极和布线；用第一绝缘膜覆盖所述栅电极和所述布线；在所述栅电极上形成半导体膜，所述第一绝缘膜在所述栅电极和所述半导体膜之间；用第二绝缘膜覆盖所述半导体膜和所述第一绝缘膜；通过一个步骤将所述第二绝缘膜和所述第一绝缘膜图案化，以形成连接孔和第一凹部，所述连接孔到达所述布线，并且所述第一凹部位于与所述半导体膜相邻的位置；以及在从所述连接孔到所述第一凹部的区域中形成第一导电膜，以通过所述连接孔将所述第一导电膜电连接至所述布线，并且将所述第一导电膜埋入所述第一凹部中。
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