[发明专利]导电膜及其制备方法、阵列基板在审
| 申请号： | 201410067432.4 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103839604A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张斌;李正亮;刘震;丁录科;曹占锋;惠官宝 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B1/02 | 分类号： | H01B1/02;H01L29/45;H01L29/49;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种导电膜及其制备方法、阵列基板，属于微小半导体器件的导电膜领域，以防止铜原子扩散到半导体层中。所述导电膜包括铜或铜合金的基膜，所述基膜内分布有元素氢或碳。本发明可用于阵列基板的制造中。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种导电膜，其特征在于，包括铜或铜合金的基膜，所述基膜内分布有元素氢或碳。
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