[发明专利]光伏元件及其制造方法有效
申请号: | 201410068654.8 | 申请日: | 2014-02-27 |
公开(公告)号: | CN104037242A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 布迪·贾约诺;杨明瑞;丁传文;邱玉婷;谭任廷;吴文生;沈国伟;胡芳维 | 申请(专利权)人: | 旭泓全球光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/18 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 于宝庆;刘春生 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种光伏元件及其制造方法。本发明的光伏元件包含半导体结构组合以及保护层。半导体结构组合具有多个侧表面,并且包含p-n接面、n-p接面、p-i-n接面、n-i-p接面、双接面或多重接面。特别地,保护层形成以被覆半导体结构组合的多个侧表面。藉此,保护层能有效地抑制本发明的光伏元件发生电势诱发衰减效应。 | ||
搜索关键词: | 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光伏元件,包含:一半导体结构组合,具有多个侧表面,且包含选自由一p‑n接面、一n‑p接面、一p‑i‑n接面、一n‑i‑p接面、一双接面及一多重接面所组成的群组中的其一接面;以及一第一保护层,形成以被覆该多个侧表面,其中该第一保护层能抑制该光伏元件发生电势诱发衰减效应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的