[发明专利]背接触式太阳能电池的制作方法有效
| 申请号： | 201410069201.7 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103811591A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 胡雁程;陈人杰;吴振诚 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种背接触式太阳能电池的制作方法，包含在半导体基板的背光表面上制作n型掺杂区、p型掺杂区以及背抗反射层。借由含铅的导电胶穿过背抗反射层，与n型掺杂区与p型掺杂区连接，而作为n型电极与p型电极。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】：
一种背接触式太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(a)提供一半导体基板；步骤(b)粗糙化该半导体基板的一受光表面；步骤(c)形成多个含磷膏体于该半导体基板的一背光表面上；步骤(d)对该半导体基板进行磷离子扩散工艺，使该些含磷膏体进入该半导体基板形成多个n型重掺杂区，以及在该半导体基板的该受光表面形成一前表面场层，以及在该半导体基板的侧面与该背光表面形成一n型轻掺杂层；步骤(e)移除该n型轻掺杂层；步骤(f)形成一前抗反射层于该前表面场层上，以及形成一背抗反射层于该背光表面上；步骤(g)印制多个含铅银胶于该背抗反射层上，该些含铅银胶的位置分别对应于该些n型重掺杂区；步骤(h)印制多个含铅铝胶于该背抗反射层上，该些含铅铝胶的位置分别对应于该背接触式太阳能电池的多个p型接触区；以及步骤(i)烧结该些含铅银胶与该些含铅铝胶，以形成多个电极。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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