[发明专利]一种深沟槽隔离结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201410072259.7 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104882471A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 王刚宁;王海强;陈宗高;俞谦荣;杨广立;蒲贤勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种深沟槽隔离结构及其制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构；图案化所述浅沟槽隔离结构和所述半导体衬底，以在所述浅沟槽隔离结构和所述半导体衬底中形成深沟槽；在所述深沟槽的侧壁上形成氧化物保护层；选用半导体材料填充所述深沟槽，以形成深沟槽隔离结构。通过本发明所述方法制备得到的深沟槽隔离被所述浅沟槽隔离结构包围，增强了所述深沟槽隔离结构的隔离效果，工艺上对准要求降低，减少了工艺步骤，增加了工艺可实现度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深沟 隔离 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种深沟槽隔离结构的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构；图案化所述浅沟槽隔离结构和所述半导体衬底，以在所述浅沟槽隔离结构和所述半导体衬底中形成深沟槽；在所述深沟槽的侧壁上形成氧化物保护层（204）；选用半导体材料填充所述深沟槽，以形成深沟槽隔离结构。
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