[发明专利]用于双端口SRAM的升压系统有效
| 申请号： | 201410074379.0 | 申请日： | 2014-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN104900255B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 吴经纬;万和舟;布明恩;杨秀丽;李政宏;黄慕真 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于双端口SRAM的升压系统包括比较器和升压电路。比较器被配置为比较第一端口的第一行地址和第二端口的第二行地址，并且输出第一使能信号。升压电路被配置为根据第一使能信号提高第一电压源和第二电压源之间的电压差。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 端口 sram 升压 系统 | ||
【主权项】：
一种用于双端口SRAM的升压系统，包括：比较器，被配置为比较第一端口的第一行地址和第二端口的第二行地址，并且当所述第一行地址和所述第二行地址相等时，输出第一使能信号；以及升压电路，被配置为根据所述第一使能信号提高第一电压源和第二电压源之间的电压差。
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