[发明专利]具有多个外部电源的非易失性半导体存储器有效
| 申请号： | 201410075753.9 | 申请日： | 2008-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN103903647B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 金镇祺;P·吉利厄姆 | 申请（专利权）人： | 莫塞德技术公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人： | 王勇,李科 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储器装置包括用于保存数据的核心存储器，例如闪速存储器。该存储器装置包括第一功率输入端以接收用于给该闪速存储器提供功率的第一电压。另外，该存储器装置包括第二功率输入端以接收第二电压。该存储器装置包括功率管理电路，其被配置成接收该第二电压和获得一个或多个内部电压。该功率管理电路提供或传送该内部电压到该闪速存储器。由该功率管理电路（例如电压转换器电路）产生的并且提供到该核心存储器的不同内部电压使能关于该核心存储器中的单元的操作，例如读取/编程/擦除。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 外部 电源 非易失性 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，包括：用于保存数据的非易失性存储器；用于使得能够对所述非易失性存储器中的数据进行访问的输入/输出逻辑；用于接收用于给所述输入/输出逻辑提供功率的第一外部电压的第一功率输入引脚；用于接收用于给所述非易失性存储器提供功率的第二外部电压的第二功率输入引脚；用于接收第三外部电压的第三功率输入引脚,所述第三外部电压的电平大于所述第二外部电压的电平；功率管理电路,其用于接收该第二外部电压以及可选的该第三外部电压，并且将该第二外部电压或该第三外部电压转换为不止一个内部电压，所述不止一个内部电压大于所述第三外部电压的电平；以及其中，至少部分地通过由所述功率管理电路提供的所述不止一个内部电压来使得能够对所述非易失性存储器中的数据进行修改；以及配置寄存器，其将所述功率管理电路配置为使用所述第二外部电压和所述第三外部电压来提供所述不止一个内部电压。
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