[发明专利]电路装置及电子设备有效
| 申请号： | 201410076749.4 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN104038120B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 守屋勇;山田敦史 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H02P7/29 | 分类号： | H02P7/29;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司11225 | 代理人： | 黄威,苏萌萌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种电路装置及电子设备。电路包括噪声产生源和因噪声而受到不良影响的模拟电路/逻辑电路，所述模拟电路/逻辑电路的至少一部分被构成在导电性与基板不同的埋入杂质层上，并且其周围的至少一部分被不同于基板的杂质层所包围，由此阻碍噪声自噪声产生源的传播。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
一种电路装置，其特征在于，包括：第一电路，其通过双扩散金属氧化物半导体结构的晶体管而构成，所述双扩散金属氧化物半导体结构的晶体管被形成于P型基板上的第一N型埋入层上；以及第二电路，其通过互补金属氧化物半导体结构的晶体管而构成，所述互补金属氧化物半导体结构的晶体管被形成于与所述第一N型埋入层分离的第二N型埋入层上，所述第二电路的区域被N型插塞区域包围，所述N型插塞区域对所述第二N型埋入层的电位进行设定，所述电路装置被构成为，所述第一N型埋入层的电位发生变动，所述第二N型埋入层被施加比所述P型基板更高的电位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410076749.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：切割锯安全电压控制系统
- 下一篇：单相电磁减速式永磁低速同步电机快速制动电路
