[发明专利]存储器及其驱动电路有效
| 申请号： | 201410076847.8 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN104900263B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 權彞振;倪昊;郑大燮;金凤吉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种存储器及其驱动电路。所述驱动电路包括电平移位单元及衬底偏置单元；所述电平移位单元包括适于输入访问电平的第一节点、适于输入衬底偏置电平的第二节点及适于输出驱动电平的第三节点，所述第三节点连接至所述存储器中的字线或位线；所述衬底偏置单元适于提供所述衬底偏置电平，所述衬底偏置电平小于所述访问电平。所述存储器包括所述驱动电路及存储阵列。本发明能够提高存储器驱动电路的驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 驱动 电路 | ||
【主权项】：
1.一种存储器的驱动电路，其特征在于，包括：电平移位单元及衬底偏置单元；所述电平移位单元包括适于输入访问电平的第一节点、适于输入衬底偏置电平的第二节点及适于输出驱动电平的第三节点，所述第三节点连接至所述存储器中的字线或位线；所述衬底偏置单元适于提供所述衬底偏置电平，所述衬底偏置电平小于所述访问电平；所述电平移位单元包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；所述第一PMOS管和第二PMOS管源极相连至所述第一节点，衬底相连至所述第二节点；所述第一NMOS管的栅极连接至一高压电平，其衬底与所述第二NMOS管的源极及衬底相连至地，所述第一NMOS管的源极和第二NMOS管的栅极相连至一可变电平，所述可变电平在所述访问电平有效时为低压电平；所述第一PMOS管的漏极及第一NMOS管的漏极相连至所述第二PMOS管的栅极，所述第二PMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极及第一PMOS管的栅极连接至所述第三节点。
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