[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构的形成方法包括提供衬底；在衬底内形成埋层区，埋层区具有导电性能；刻蚀去除部分厚度的衬底，在衬底内形成环形的第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽，第一沟槽和第三沟槽分别位于第二沟槽的两侧，第二沟槽底部为至少暴露出埋层区顶部；形成填充满第一沟槽和第三沟槽的阻挡层；形成填充满第二沟槽的导电层，导电层与埋层区相连接，且导电层的掺杂类型与埋层区的掺杂类型相同；在导电层和埋层区包围的衬底内形成掺杂阱。本发明在提高半导体结构抗噪声能力的同时，阻挡导电层内掺杂离子的扩散，避免掺杂离子过于靠近掺杂阱，从而提高半导体结构的电学性能和可靠性。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底内形成埋层区，所述埋层区具有导电性能，且所述埋层区内具有掺杂离子；刻蚀去除部分厚度的衬底，在所述衬底内形成环形的第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽，所述第一沟槽和第三沟槽分别位于第二沟槽的两侧，且第二沟槽底部至少暴露出埋层区顶部；形成填充满所述第一沟槽和第三沟槽的阻挡层；形成填充满所述第二沟槽的导电层，所述导电层与埋层区相连接，且所述导电层的掺杂类型与埋层区的掺杂类型相同；在所述导电层和埋层区包围的衬底内形成掺杂阱；在所述掺杂阱表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的掺杂阱内形成掺杂区，对掺杂区进行退火处理。