[发明专利]用于无内嵌式SiGe的HKMG技术中的改良型硅化物形成

摘要

本发明涉及用于无内嵌式SiGe的HKMG技术中的改良型硅化物形成，在形成尖端P通道晶体管时，半导体合金层形成于包括晶体管主动区的半导体层的表面上。当金属硅化物层相连于此半导体合金层而形成时，观察到金属硅化物层凝聚至隔离团簇内。为了解决这个问题，本发明提出一种方法及一种半导体装置，其中半导体合金层位在晶体管的源极与漏极区上的部分在形成金属硅化物层前予以移除。按照此方式，所形成的金属硅化物层是相连于半导体层而未相连于半导体合金层。

主权项

一种形成经调整以形成为P通道FET的半导体结构的方法，该方法包含：形成包含至少一主动区的半导体层，该半导体层包含上表面；在该半导体层的该上表面上沉积半导体合金层；在该半导体合金层上形成栅极电极结构；在该半导体层的该至少一主动区中形成源极与漏极扩展区；在该半导体层的该至少一主动区中形成该源极与漏极扩展区之后，移除该半导体合金层的一或多个预定部分，以便曝露该半导体层的一或多个表面部分；以及形成与该半导体层具有界面的金属硅化物层，该金属硅化物层是在移除该半导体合金层的该一或多个预定部分之后形成。