[发明专利]固体摄像装置及其制造方法无效
申请号: | 201410079918.X | 申请日: | 2014-03-06 |
公开(公告)号: | CN104051485A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 神例信贵 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 庞乃媛;黄剑锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明根据一个实施方式提供一种固体摄像装置,包括硅基板部、彩色滤光层、第1光学层、第2光学层及第3光学层。硅基板部包括设置在与主面平行的平面内的多个摄像部。彩色滤光层在与主面垂直的方向上与硅基板部分离,具有比硅基板部的折射率低的折射率。第1光学层设置在硅基板部与彩色滤光层之间,具有比彩色滤光层的折射率低且比硅基板部的折射率低的第1折射率,且为光透射性。第2光学层设置在第1光学层与彩色滤光层之间,具有比第1折射率高且比硅基板部的折射率低的第2折射率,是光透射性且为多晶。第3光学层设置在第2光学层与彩色滤光层之间,具有比彩色滤光层的折射率低且比第2折射率低的第3折射率,且为光透射性。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种固体摄像装置,具备:硅基板部,包括设置在与主面平行的平面内的多个摄像部;彩色滤光层,在与上述主面垂直的方向上与上述硅基板部分离,具有比上述硅基板部的折射率低的折射率;光透射性的第1光学层,设置在上述硅基板部与上述彩色滤光层之间,具有比上述彩色滤光层的上述折射率低、且比上述硅基板部的上述折射率低的第1折射率;光透射性且多晶的第2光学层,设置在上述第1光学层与上述彩色滤光层之间,具有比上述第1折射率高且比上述硅基板部的上述折射率低的第2折射率;以及光透射性的第3光学层,设置在上述第2光学层与上述彩色滤光层之间,具有比上述彩色滤光层的上述折射率低、且比上述第2折射率低的第3折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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