[发明专利]半导体发光元件、发光装置及制造半导体发光元件的方法无效
| 申请号： | 201410080014.9 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN104051582A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 山田真嗣;胜野弘;三木聡;杉山直治;布上真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/50;H01L33/60;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 冯玉清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体发光元件包括层叠主体、第一金属层和第二金属层。层叠主体包括第一半导体层、第二半导体层和发光层。第二半导体层在第一方向上与第一半导体层分开。发光层被设置在第一半导体层与第二半导体层之间。第一金属层在第一方向上与层叠主体层叠，从而电连接到第一半导体层和第二半导体层当中所选的一个。第一金属层具有在第一方向上延伸的侧表面。第二金属层覆盖第一金属层的侧表面的至少一部分。第二金属层的反射率高于第一金属层的反射率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，包括：层叠主体，该层叠主体包括：第一导电类型的第一半导体层，在第一方向上与第一半导体层分开的第二导电类型的第二半导体层，以及设置在第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；第一金属层，该第一金属层在第一方向上与层叠主体层叠从而电连接到第一半导体层和第二半导体层当中所选的一个，其中第一金属层具有在第一方向上延伸的侧表面；以及覆盖第一金属层的侧表面的至少一部分的第二金属层，其中第二金属层的反射率高于第一金属层的反射率。
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