[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201410081989.3 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN104078450A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 冈部康宽 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/48;H01L23/34 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;金玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供半导体装置，其在抑制厚度尺寸的增大的通知缩小了平面尺寸。半导体装置（10）具有：被安装在引线框架（RM）的主面侧（MF）的电路元件（D）；被安装在引线框架（RM）的背面侧（BF）的电感器（12）；以及对电路元件（D）和电感器（12）进行树脂密封的树脂体（14）。电路元件（D）中包含作为具有感温元件的单片集成电路的MIC（18）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于具有：被安装在引线框架的主面侧的电路元件；被安装在所述引线框架的背面侧的电感器；以及对所述电路元件和所述电感器进行树脂密封的树脂体，所述电路元件具有感温元件，且具有所述电感器的过热保护功能。
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