[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410085649.8 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN104465565B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 兼子元;岛田庆一;臼井孝公 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 万利军,陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置。本实施方式的半导体装置具备半导体基板；上端部的直径尺寸比下端部的直径尺寸大的第1接触插塞；覆盖第1接触插塞的第1绝缘膜；下端部接合于第1接触插塞的上端部且上端部的直径尺寸比下端部的直径尺寸小的第2接触插塞；覆盖第2接触插塞的第2绝缘膜；在下端部接合有第2接触插塞的上端部的布线层；覆盖布线层的第3绝缘膜；和在第1接触插塞的上端部中的未由第2接触插塞的下端部覆盖的部分所形成的台阶。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；第1接触插塞，其上端部的直径尺寸比下端部的直径尺寸大；第1绝缘膜，其形成在所述半导体基板上，覆盖所述第1接触插塞；第2接触插塞，其下端部接合于所述第1接触插塞的上端部，其上端部的直径尺寸比下端部的直径尺寸小；第2绝缘膜，其形成在所述第1绝缘膜以及所述第1接触插塞之上，覆盖所述第2接触插塞；布线层，在其下端部接合有所述第2接触插塞的上端部；和第3绝缘膜，其形成在所述第2绝缘膜以及所述第2接触插塞之上，覆盖所述布线层，还具备台阶，该台阶形成在所述第1接触插塞的上端部中的、未被所述第2接触插塞的下端部所覆盖的部分。
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