[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201410088289.7 | 申请日： | 2014-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104916631B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 王孝远;周川淼;金凤吉;李宏伟;郭兵;郭之光 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件，通过在其所包括的作为ESD保护器件的NMOS的漏极内设置P型掺杂区，可以提高ESD保护器件的抗ESD特性，进而提高半导体器件的可靠性。本发明的半导体器件的制造方法，由于制得的半导体器件所包括的作为ESD保护器件的NMOS的漏极内设置有P型掺杂区，因而可以提高ESD保护器件的抗ESD特性，进而提高半导体器件的可靠性。本发明的电子装置，使用了上述半导体器件，因而同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的ESD保护器件；其中，所述ESD保护器件包括位于所述半导体衬底内的源极、漏极以及位于所述半导体衬底之上且位于所述源极和所述漏极之间的栅极，还包括位于所述漏极内的P型掺杂区，所述源极与所述漏极为N+掺杂，所述P型掺杂区中的P型掺杂与所述漏极中的所述N+掺杂共同作用形成N-掺杂。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
