[发明专利]具有增强的接触区的三维集成电路装置

摘要

本发明公开了一种具有增强的接触区的三维集成电路装置，该装置包括具有一凹槽的一基板，凹槽具有一底部及多侧，且从基板的上表面延伸进入基板中。这些侧包括彼此横向被配置的第一侧与第二侧。一叠层体包括交替叠层的有源层及绝缘层覆盖在基板的表面与凹槽上面。至少某些有源层具有一上部及下部，其分别沿着在上表面及底部上面并平行于上表面及底部之上及下平面延伸。有源层具有第一与第二朝上延伸部，其沿着第一侧与第二侧被设置以从它们所属的有源层的下部延伸。导电条与这些有源层的第二朝上延伸部邻接。导电条可包括在第二朝上延伸部的侧上的侧壁间隙壁，导电条通过层间导体连接至覆盖的导体。

主权项

一种装置，包括：一基板，包括一上表面以及从该上表面延伸进入该基板中的一凹槽；该凹槽具有一底部以及多个延伸在该上表面与该底部之间的侧部，这些侧部包括第一侧、第二侧、第三侧及第四侧，凹槽是通过两相对的第一侧与第三侧，连接第一侧及第三侧的两相对的第二侧与第四侧，以及底部而被定义；一叠层体包括交替叠层的多个有源层及多个绝缘层，覆盖于该基板的该上表面与该凹槽上；各该有源层具有一上部及一下部，该上部沿着该上表面上面且平行于该上表面的一上平面延伸，而该下部沿着在该底部上面且平行于该底部的一下平面延伸；各该有源层包括第一朝上延伸部与第二朝上延伸部，沿着该第一侧与该第二侧设置并自它们所属的这些有源层的这些下部延伸，其中该第二朝上延伸部具有一朝向该底部的末端与顶端之间的长度；及多个导电条，沿着该第二朝上延伸部的长度方向而未超过该第二朝上延伸部的顶端与该有源层的该第二朝上延伸部邻接。